制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 64 A
Rds On-漏源导通电阻: 17.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 86 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
系列: OptiMOS 3
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度: 9.25 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 61 S
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
零件号别名: IPB200N25N3GATMA1 IPB2N25N3GXT SP000677896
单位重量: 4 g
