AO4456 30V20A SOP-8 AOS美国万代 N沟道 功率MOS管

一般信息

数据列表 AO4456;

SO8 Pkg Drawing;

标准包装 3,000

包装 标准卷带

零件状态 停產

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 SRFET™

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.6 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 95nC @ 10V

Vgs（最大值） ±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5185pF @ 15V

FET 功能 肖特基二极管（体）

功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SOIC

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

企 业：深圳市轩嘉盛电子有限公司

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