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供应: MOSFET IPD50R380CE

2025-8-16 16:06:00
  • MOSFET N-Ch 500V 9.9A DPAK-2

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 14.1 A

Rds On-漏源导通电阻: 350 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 24.8 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 98 W

通道模式: Enhancement

商标名: CoolMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 2.3 mm

长度: 6.5 mm

系列: IPD50R380

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 6.22 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 8.6 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 5.6 ns

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 35 ns

典型接通延迟时间: 7.2 ns

零件号别名: IPD50R380CEBTMA1 SP001117698

单位重量: 4 g