型号:SI2366DS-T1-GE3
品牌:Vishay / Siliconix
类别:集成电路(ic) MOSFE管
贴片SOT-23 N沟道 30V(Vdss) 5.8A(Id)
2 .1W(功耗)
产品种类:MOSFET
晶体管极性:N通道
闸/源击穿电压:20 V
漏极连续电流:5.8 A
导通电阻:30 mOhms
安装风格:SMD/SMT/贴片
供应商标准封装:SOT-23
封装:Reel/卷盘
正向跨导 - 最小值:13 S
栅极电荷 Qg:6.4 nC
汲极/源极击穿电压:30 V
功率耗散:2.1 W
上升时间:12 ns
工厂包装数量:3000
批号:最新出厂批次
数量:18960
备注:深圳市勤思达科技有限公司长期供应SI2366DS-T1-GE3 晶体MOSFET
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