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爱美科表示，面积能大幅缩小的原因，就在于使用了新的晶体管结构。Unisantis 与爱美科使用的是 Unisantis 所开发的垂直型环绕栅极(Surrounding Gate Transistor，SGT)结构，最小栅极距只有 50nm。这样的水平，与标准型 GAA 晶体管相比，垂直型 SGT 单元 GAA 晶体管面积能够缩小 20% 到 30%，同时在工作电压、漏电流及稳定性上表现更佳。
目前爱美科正与 Unisantis 公司一起定制新制程的关键制程流程及步骤，预计透过一种新的制程协同优化 DTCO 技术，研发人员就能使用 50nm 间距制造出 0.0205 mm2 的 SRAM 单元，而未来该制程也能够适用 5 纳米制程的节点。此外，该制程技术还能使用 EUV 极紫外光刻技术，减少制程步骤，这使得设计成本与传统 FinFET 制程相当。
