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供应SI5853DDC-T1-E3 功率MOSFET P通道

2025-8-14 11:04:00
  • 分立式半导体 晶体管 MOSFET 贴片QFN1206-8 P通道 20V 4A 1200 mW

型号:SI5853DDC-T1-E3

品牌:Vishay / Siliconix

描述:分立式半导体 晶体管 MOSFET

贴片QFN1206-8 P通道 20V 4A 1200 mW

产品种类:MOSFET

晶体管极性:P通道

汲极/源极击穿电压:20 V

闸/源击穿电压:+/- 8 V

漏极连续电流:2.9 A

最小工作温度:- 55 C

功率耗散:1200 mW

上升时间:17 ns

导通电阻:105 mOhms at 4.5 V

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT/贴片

封装类型:Reel/卷盘

下降时间:17 ns

工厂包装数量:3000

典型关闭延迟时间:21 ns

其它名称:SI5853DDC-E3

价格: 面议

数量:18960

备注:深圳市勤思达科技有限公司长期供应小功率MOS管SI5853DDC-T1-E3

正品原装,厂家直销品质保证,欢迎广大客户朋友咨询谈。