TK39N60W规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 1.9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 110nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4100pF @ 300V
FET 功能 超级结
功率耗散（最大值） 270W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 65 毫欧 @ 19.4A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247
