制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V, - 20 V
Id-连续漏极电流: 870 mA, - 640 mA
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms, 700 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 0.5 V, - 0.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V, - 4.5 V
Qg-栅极电荷: 736.6 pC, 622.4 pC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Dual
Pd-功率耗散: 530 mW
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
产品: MOSFET Small Signal
系列: DMG1016
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 12.3 ns, 20.7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 7.4 ns, 8.1 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 26.7 ns, 28.4 ns
典型接通延迟时间: 5.1 ns, 5.1 ns
单位重量: 3 mg
