深圳市汇创佳电子科技有限公司0755-82545498 13538016218朱先生
数据列表 IRFR9024NPbF, IRFU9024NPbF
标准包装 2,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 19nC 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 350pF 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 38W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 175 毫欧 6.6A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
