制造商: Broadcom Limited
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管类型: EpHEMT
技术: GaAs
增益: 16.6 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 5 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 5 V to 1 V
Id-连续漏极电流: 120 mA
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 725 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-343
封装: Reel
配置: Single Dual Source
工作频率: 2 GHz
产品: RF JFET
类型: GaAs EpHEMT
商标: Broadcom / Avago
正向跨导 - 最小值: 410 mmho
NF—噪声系数: 0.5 dB
P1dB - 压缩点: 20.4 dBm
工厂包装数量: 3000
