制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 135 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 20.15 mm
长度: 15.75 mm
系列: N-channel MDmesh
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Power MOSFET
宽度: 5.15 mm
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 10 S
下降时间: 50 ns
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 600
典型关闭延迟时间: 85 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
单位重量: 38 g
