制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 62 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 170 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Preliminary
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon / IR
下降时间: 19 ns
NumOfPackaging: 1
上升时间: 114 ns
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
