深圳市汇创佳电子科技有限公司 0755-82545498 13538016218 QQ：531398920 朱先生
数据列表 SI2305CDS
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 TrenchFET
规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 30nC 8V
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大） Vgs 8V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 960pF 4V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） Vds 4V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 960mW（Ta），1.7W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 35 毫欧 4.4A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
