制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET

技术: Si

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 20 A

Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms

配置: Single

系列: 2SK4108

晶体管类型: 1 N-Channel

商标: Toshiba