CSD17307Q5A资料
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSONP-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 12.1 mOhm
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
商标名: NexFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 6 mm
系列: CSD17307Q5A
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.9 mm
商标: Texas Instruments
正向跨导 - 最小值: 66 S
Pd-功率耗散: 3 W
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 9.3 ns
典型接通延迟时间: 4.6 ns
单位重量: 100 mg
