IRLR8726TRPBF资料
制造商: IR
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 86 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.35 V to 2.35 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 15 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
宽度: 6.22 mm
商标: IR
正向跨导 - 最小值: 73 S
下降时间: 16 ns
Pd-功率耗散: 75 W
上升时间: 49 ns
工厂包装数量: 2000
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: SP001573108
单位重量: 4 g
