驱动IC：PT4238 PT4115 PT4110 PT4205 PT4516 PT4121 OCP8155 OCP8153 MP24894 MP6907 MP6901 MP2494 MP24549 BP9912C OB3398 BP9833 BP1360 BP1361 BP2887 BP2888 BP5619 BPM5520
PT4238采用独特的电流采样及恒流控制机制， 具备优异的线电压调整率、 负载调整率以及输出电流温度特性。PT4238提供完善的保护功能： 包括LED短路/开路保护，逐周期限流保护， 电感绕组短路保护等，所有的保护状态都具有自动重启功能。 独特的过温调节功能使得系统在高温时自动降低电流从而有效地保护电源和负载。 另外，芯片内置了软启动电路，可有效降低开关管以及LED灯珠的开机应力。
PT4238是一款带有源功率因数校正的高精度降压型LED恒流驱动芯片，适用于85Vac-265Vac全电压输入范围的非隔离LED恒流电源。 驱动器集成了有源功率因数校正电路，可以实现高功率因数和低的总谐波失真。由于工作在电感电流临界导通模式，功率MOS管处于零电流开通状态，开关损耗得以减小，同时电感的利用率也较高。
特点
内置 500V 高压 MOSFET
±3% LED 输出电流精度
固定导通时间， 高 PF 值(>0.9)
准谐振控制模式
90%以上的转换效率
优异的线电压调整率和负载调整率
优异的电流温度补偿特性
软启动功能
LED短路/开路保护
电感绕组短路保护
逐周期电流限流
过温降电流功能
采用 SOP-8 / DIP-8封装
应用
LED球泡灯、射灯 LED PAR30、 PAR38灯 LED日光灯
大国重器，艰难铸成 - 小器件，成就新能源汽车大未来
引言：IGBT作为电能变换的关键部件，是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件，未来几年我国新能源汽车及充电桩市场将进入爆发期，IGBT作为其核心器件也将迎来黄金发展期。
新能源驱动，IGBT增长空间广阔
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，为世界公认的电力电子第三次技术革命的代表性产品，具有高频率、高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业界誉为功率变流装置
IGBT能够实现节能减排，具有很好的环境保护效益，是未来应用发展的必然方向。IGBT可广泛应用于汽车电子、电力领域、消费电子、新能源等传统和新兴领域，市场前景广阔。
IGBT具有的特性，使其非常适用于新能源汽车等战略性新兴产业的应用。IGBT模块是新能源汽车电控系统和直流充电桩的核心器件；成本占到新能源整车成本的10%， 占到充电桩成本的20%。政策驱动下，我国新能源汽车及充电桩市场将进入爆发期， IGBT作为其核心器件也将迎来黄金发展期，预计未来5年国内新能源汽车和充电桩市场将带动200亿IGBT模块的需求。
缺芯之痛，受制与人
中国是世界最大的功率半导体市场， 占世界市场的50%以上，但IGBT做为功率半导体主流器件，过去基本被国外厂商垄断。欧美和日本企业凭借着产品质量好、技术领先，在IGBT市场中占据绝对优势地位，也是中国IGBT市场的主要供应商。
2008年，中国第一条高铁—京津城际铁路开通，随后又开通了武广高铁等更多的高铁线路，对IGBT的需求成倍增加。一个8列标准动车组就需要152个IGBT模块，光这个模块的成本就将近两百万元，每年中国高铁制造需要向国外采购十万个以上IGBT模块，采购资金超过12亿元人民币。
一个IGBT模块的价格折合人民币1.5万元，而且只卖成品。即使是作为中国牵引电传动技术的领军企业，中车株洲所也依然要每年花费数亿元从国外采购IGBT产品。
技术和市场被垄断，国外器件的采购又面临“长周期、高价格”。一个IGBT器件部件，采购周期长达数月甚至半年以上，如果不改变这一局面，将不仅影响我国电力电子产业的持续健康快速发展，而且严重阻碍我国战略性新兴产业的长远发展，特别是在轨道交通牵引装备、新能源、柔性直流输电等产业领域，这是一个非常尴尬的现实。
自主设计制造中国人自己的IGBT芯片，打造一条从IGBT芯片研制—模块封装—系统应用测试的完整IGBT产业链，成为国家和产业界的共同诉求。
大国重器，艰难铸成
IGBT，许多半导体圈内人士都以为就是一个分立器件，很有些瞧不上眼。然而它是目前功率电子器件技术最先进的产品，其应用非常广泛，小到电磁炉、大到飞机船舶、轨道交通、新能源汽车、智能电网等战略性产业，被称为电力电子行业里的“CPU”。
半导体产业发展了30多年，集成度从微米级发展到了纳米级，晶圆尺寸从3英寸做到了12英寸，我们还得回头重新审视这个小小的分立器件。
IGBT单从器件原理上讲并不是很复杂，但为什么IGBT的产品目前还是主要掌握在世界几大IDM厂商手中。其中IGBT的垂直整合至关重要，设计、制造、封测和系统应用紧密结合是关键，这就迫使各个环节中有实力的企业需要加强合作，也是IGBT发展门槛较高的原因之一。
我们国家并不是不重视IGBT的开发，早在1996年，当时的国家计委（国家发改委的前身），即把发展IGBT芯片及模块产业化作为重点项目实施。2006年出台的《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》就明确提出，功率器件及模块技术、半导体功率器件技术是未来5-15年15个领域发展的重要技术之一。“十一五”和“十二五”期间，国家也组织实施了众多的IGBT研发和产业化项目，和28nm/16nm集成电路制造一样，IGBT也被列为国家“02专项”的重点扶持项目。专项重点明确了以IGBT为代表的芯片和器件的设计开发及产业化、 功率模块产业化等。这一方面体现中国政府对于IGBT的重视，另一方面也说明IGBT技术的难度。
