SSM3K7002BF 资料
数据列表 SSM3K7002BF
生产商 TOSHIBA
批号 17+
库存 26000
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 17pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.1 欧姆 @ 500mA，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 USM
封装/外壳 SC-70，SOT-323
