FDD8870 30V21A TO252 N沟道 MOS管 晶体管 FAIRCHILD仙童
制造商： Fairchild Semiconductor 最小包装量： 2500PCS
封装： D-Pak 包装： REEL
类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： FDD8870 Series 30 V 4.4 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet TO-252AA
参数 数值
功率 - 最大值 160W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 5160pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 118nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.9 mOhm @ 35A, 10V
FET 功能 Standard
FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 160A
漏源极电压 (Vdss) 30V
一般信息
数据列表 FDD8870, FDU8870;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 PowerTrench®
其它名称 FDD8870-ND
FDD8870FSTR
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 21A（Ta），160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 118nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5160pF @ 15V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 160W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.9 毫欧 @ 35A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
联系方式 ：
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
联系人：吴妙惠
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