IKW25N120H3

2017-6-28 8:45:00
  • 深圳市鑫欧美电子有限公司,0755-82708963张小姐

产品种类: IGBT 晶体管

制造商: Infineon

RoHS: 符合RoHS 详细信息

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 2.7 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 50 A

Pd-功率耗散: 326 W

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 175 C

系列: IKW25N120

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

集电极最大连续电流 Ic: 25 A

栅极—射极漏泄电流: 600 nA

工厂包装数量: 240

技术: Si

零件号别名: IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3XK SP000674418

单位重量: 38 g