产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Qg-栅极电荷: 31 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
商标: Infineon Technologies
配置: 1 N-Channel
下降时间: 12 ns
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
Pd-功率耗散: 63 W
上升时间: 15 ns
系列: CoolMOS C3
工厂包装数量: 500
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
宽度: 4.4 mm
零件号别名: SP000683152 SPP04N80C3XK SPP04N80C3XKSA1
单位重量: 6 g
