FDD24AN06LA0 MOSFET N沟道 60V 40A TO263 FAIRCHILD
制造商: Fairchild Semiconductor 最小包装量: 2500PCS
封装: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 包装: Tape & Reel (TR)
类别: FET - 单路 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: MOSFET N-CH 60V 40A D-PAK
参数 数值
系列 PowerTrench®
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
功率 - 最大值 75W
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1850pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 21nC @ 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 19 mOhm @ 40A, 10V
FET 功能 Logic Level Gate
FET 类型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
漏源极电压 (Vdss) 60V
一般信息
数据列表 FDD24AN06LA0_F085;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 汽车级,AEC-Q101,PowerTrench®
其它名称 FDD24AN06LA0F085
FDD24AN06LA0_F085TR
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.1A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1850pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 75W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 19 毫欧 @ 40A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
联系方式 :
企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站:www.xjsic.com
联系人:吴妙惠
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