产品种类: MOSFET

制造商: Infineon

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-254-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: - 200 V

Id-连续漏极电流: - 11 A

Rds On-漏源导通电阻: 520 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

通道模式: Enhancement

商标: Infineon / IR

配置: Single

下降时间: 85 ns

高度: 13.84 mm

长度: 13.84 mm

Pd-功率耗散: 125 W

上升时间: 85 ns

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 85 ns

典型接通延迟时间: 35 ns

宽度: 6.6 mm