制造商： AOS 最小包装量： 1PCS
封装： TO-251 包装： Tape&Reel
类别： FET - 单路 无铅情况/RoHS： 符合
产品描述： MOSFETS
参数 数值
功率 - 最大值 56.8W
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 2A
漏源极电压 (Vdss) 600V
一般信息
数据列表 AOx2N60;
TO251 Pkg Drawing;
标准包装 4,000
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 325pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 56.8W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.4 欧姆 @ 1A，10V
工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-251-3
封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
联系方式 ：
企业：深圳市轩嘉盛电子有限公司
企业网站：www.xjsic.com
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