深圳市汇创佳电子科技有限公司 0755-82545498 13538016218 QQ：531398920类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 57A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 130nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3130pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 23 毫欧 @ 28A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
