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FGB40N6S2 IGBT 600V 75A 290W TO263AB FAIRCHILD

2021-4-22 18:01:00
  • 深圳市轩嘉盛电子有限公司 FGB40N6S2 600V 75A TO263

制造商: Fairchild Semiconductor 最小包装量: 800PCS

封装: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 包装: Tape & Reel (TR)

类别: IGBT-单路 无铅情况/RoHS: 符合

产品描述: IGBT 600V 75A 290W TO263AB

参数 数值

系列 -

封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

反向恢复时间 (trr) -

测试条件 390V, 20A, 3 Ohm, 15V

Td (on/off) A 25°C 8ns/35ns

闸极电荷 35nC

输入类型 Standard

开关能量 115µJ (on), 195µJ (off)

功率 - 最大值 290W

电流 - 集电极脉冲 (Icm) 180A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.7V @ 15V, 20A

IGBT 类型 -

电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 75A

电压 - 集射极击穿(最大值) 600V

一般信息

数据列表 FG(H/P/B)40N6S2;

标准包装 800

包装 标准卷带

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单

系列 -

其它名称 FGB40N6S2TTR

FGB40N6S2T_NL

FGB40N6S2T_NLTR

FGB40N6S2T_NLTR-ND

规格

IGBT 类型 -

电压 - 集射极击穿(最大值) 600V

电流 - 集电极(Ic)(最大值) 75A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 180A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.7V @ 15V,20A

功率 - 最大值 290W

开关能量 115µJ(开),195µJ(关)

输入类型 标准

25°C 时 Td(开/关)值 8ns/35ns

测试条件 390V,20A,3 欧姆,15V

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商器件封装 TO-263AB

企业:深圳市轩嘉盛电子有限公司

企业网站:www.xjsic.com

联系人:吴妙惠

电话:0755-23940365

传真:0755-88600656

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