简介：
标准包装：10,000
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 阵列
系列：-
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：230mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 欧姆 @ 100mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：-
输入电容 (Ciss) @ Vds：14.1pF @ 15V
功率 - 最大：300mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-963
供应商设备封装：SOT-963
包装：带卷 (TR)
深圳市博雅盈达电子有限公司
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