产品种类: MOSFET
制造商: Vishay
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 12 V
Id-连续漏极电流: 5.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 50 ns
高度: 1 mm
长度: 3.05 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1.1 W
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 50 ns
系列: SI3
工厂包装数量: 3000
商标名: TrenchFET
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 130 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
宽度: 1.65 mm
零件号别名: SI3473DV-E3
单位重量: 20 mg
