产品种类: MOSFET
制造商: Vishay
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 66 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1.5 W
产品: MOSFET Small Signal
系列: SI1
工厂包装数量: 3000
商标名: TrenchFET
晶体管类型: 1 N-Channel
零件号别名: SI1470DH-GE3
单位重量: 7.500 mg
