产品种类: MOSFET

制造商: Infineon

RoHS: 符合RoHS 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 65 A

Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

Qg-栅极电荷: 70 nC

最大工作温度: + 175 C

封装: Tube

通道模式: Enhancement

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 31 ns

正向跨导 - 最小值: 49 S

最小工作温度: - 40 C

Pd-功率耗散: 330 W

上升时间: 20 ns

工厂包装数量: 50

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 21 ns

典型接通延迟时间: 33 ns

单位重量: 6 g产品种类: MOSFET

制造商: Infineon

RoHS: 符合RoHS 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 65 A

Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

Qg-栅极电荷: 70 nC

最大工作温度: + 175 C

封装: Tube

通道模式: Enhancement

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 31 ns

正向跨导 - 最小值: 49 S

最小工作温度: - 40 C

Pd-功率耗散: 330 W

上升时间: 20 ns

工厂包装数量: 50

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 21 ns

典型接通延迟时间: 33 ns

单位重量: 6 g