SI7234DP-T1-GE3
品牌：VISHAY
封装： PPAK SO-8
数量：4000 PCS
批号：2016+
说明：3000/盘,全新原装正品，公司长期特价销售，品质保证，支持原厂订货！详情面议
联系人： 李先生
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业务QQ 1049720034 / 872633911
产品参数：
产品种类: MOSFET
制造商: Vishay
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Vishay Semiconductors
配置: Dual Dual Drain
下降时间: 25 ns
正向跨导 - 最小值: 100 S
高度: 1.04 mm
长度: 4.9 mm
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 3.5 W
上升时间: 15 ns
系列: SI7
工厂包装数量: 3000
商标名: TrenchFET
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 90 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
宽度: 5.89 mm
零件号别名: SI7234DP-GE3
单位重量: 506.600 mg
