FQD3P50TM概述
这些P沟道增强型功率场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
平面条形， DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
基于免费的适合于电子镇流器
半桥
特点
-2.1A ， -500V ，R
DS （ ON）
= 4.9Ω @V
GS
= -10 V
低栅极电荷（典型的18 NC）
低的Crss （典型值9.5 pF的）
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
RoHS指令
柔顺
