XL6012是一款专为升压、升降压设计的单片集成电路，可工作在DC5V到40V输入电压范围，低纹波，内置功率MOS。XL6012内置固定频率振荡器与频率补偿电路，简化了电路设计。
PWM控制环路可以调节占空比从0~90%之间线性变化。内置过电流保护功能与EN脚逻辑电平关断功能。
特点：
5V到40V宽输入电压范围
1.25V输出电压采样电压
SW内置过压保护功能
固定180KHz开关频率
最大5A开关电流
94%以上转换效率
EN脚TTL关断功能
出色的线性与负载调整率
内置功率MOS
内置频率补偿功能
内置软启动功能
内置热关断功能
内置电流限制功能
TO220-5L封装
应用：
EPC/笔记本车载适配器
升压、升降压转换
手持式设备供电
挹注次世代存储器半导体技术研发投资的三星电子(Samsung Electronics)和英特尔(Intel)为打破存储器业界最大议题频宽(bandwith)的上限，正各自寻找解决方法。三星专注于研发高频宽存储器(HBM)和次世代SRAM技术，英特尔则正在研发嵌入式DRAM(eDRAM)。
据Digital Times报导，英特尔预计2017年推出的次世代芯片Kaby Lake，将采用14纳米FinFET制程，搭载较Skylake容量增加2倍的256MB的eDRAM。eDRAM不同于一般DRAM，内建于CPU Die，扮演提升系统快取(Cache)处理容量和速度的角色。
英特尔过去3年间在CPU芯片内部设计实验性运用eDRAM，现开始成为英特尔的核心策略。eDRAM过去主要应用在图形处理器(GPU)，英特尔2015年推出第6代处理器Skylake，配备eDRAM提升图形处理效能。
韩国半导体业界认为，销售通用DRAM的三星、SK海力士(SK Hynix)，对英特尔的尝试感到紧张。CPU和GPU性能每年飞跃性提升，存储器性能的进展速度相对较缓慢。
目前最普遍的DRAM规格DDR模组可发挥的最大频宽理论上是10Gbps，2018年后可量产，反观处理器早已超过100Gbps水准。韩国半导体业界专家将此称为处理器和存储器间的瓶颈，或存储器的障壁。
存储器业界霸主三星为解决问题，正着手研发次世代存储器。2015年三星成功研发10纳米制程SRAM，2016年将提升SRAM技术，将10纳米制程DRAM推向可量产阶段。该SRAM比起先前三星发表的14纳米SRAM，Cell面积缩减37.5%，性能、功耗方面都有改善。
目前半导体业界仅三星可生产的HBM2产品，应用范围也正不断拓宽。GPU搭载的HBM产品，近来如惠普(HP)、IBM等整合CPU和GPU架构伺服器用处理器的业者增加，销售额也迅速攀升。
近来半导体业者加速投资次世代存储器技术的理由，是CPU和存储器的瓶颈现象终将成为拓展IT市场需求的绊脚石。对存储器业者来说，未来2~3年是最重要的转捩点。
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