铁电 F-RAM 原装进口促销特价中 欢迎咨询

特征

256 Kbit的铁电随机存取存储器（F-RAM）

逻辑上组织为32K的×8

❐高耐擦写能力100万亿元（1014）读/写

❐151年的数据保存（见数据保留和

耐力表）

无延迟写入™

先进的高可靠性铁电工艺

快速2线串行接口（I2C）高达3.4 MHz的频率

直接更换硬件串行（I2C）EEPROM

支持100 kHz和400 kHz的传统计时

设备ID

制造商ID和产品ID

低功耗

在100kHz❐175A有功电流

90A（典型值）的待机电流

5A（典型值）睡眠模式电流

低电压工作：VDD =2.0 V至3.6 V

工业温度范围：-40C到+85C

8引脚小外形集成电路（SOIC）封装

有害物质限制（RoHS）标准

设备ID和序列号设备ID读出制造商ID和部分ID

唯一的序列号（FM24VN02）低电压，低功耗工作低工作电压2.0V - 3.6V工作电流<150A（典型值@100KHz的）90A待机电流5A休眠模式（典型值）。电流（典型值）行业标准配置 工业温度-40C至+85 8脚“绿色”/ RoHS指令SOIC封装

该FM24V02是一个256-Kbit的非易失性存储器采用一种

先进的铁电工艺。铁电随机存取

内存或F-RAM是非易失性进行读取和写入

类似于RAM。它提供了151年可靠的数据保留

同时消除了复杂性，开销和系统级

造成EEPROM和其它非易失性可靠性问题

回忆。

不同于EEPROM中，FM24V02以总线执行写操作

速度。无写入延迟支付。数据被写入到

存储阵列后立即每个字节是成功的

传送到设备。下一个总线周期可以开始

而不需要数据轮询。此外，该产品报价

与其它非易失性比较显着的写入寿命

回忆。此外，F-RAM的写入过程中表现出低得多的功耗

比EEPROM因为写操作不需要在内部

高架电源电压写入电路。该FM24V02是

能够支持1014读/写周期，或100万次

更多的写周期比EEPROM。

这些功能使得FM24V02理想的非易失性

内存的应用程序，需要频繁或快速写入。

种类繁多，从数据记录写入其中数字

周期可能是至关重要的，要求苛刻的工业控制，其中

EEPROM的长写的时间可能会导致数据丢失。该

特征的组合允许更频繁的数据写入

对于系统开销少。

该FM24V02提供了实实在在的好处，以串行用户

（I2C）EEPROM作为一个硬件直接替换。装置

包括一个只读器件编号允许主机

确定生产商，产品密度和产品

修订。该器件的规格都保证在一个

工业温度范围-40C到+85C的。

FM25V02-G

FM24V02-G

FM25V20-G

FM25V10-G

FM24V01-G

FM24CL64B-G

FM31256-G

FM28V202A-TG

FM28V020-SG

FM25W256-G

FM25V20A-G

FM25V05-G

FM25V01-G

FM25L04B-G

FM25CL64B-G

FM25040B-G

FM24W256-G

FM24V02A-G

FM24CL16B-G

FM24C16B-G