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国商威武!中芯国际40nm造全新PRAM内存

发布企业:深圳市安富世纪电子有限公司日期:2016/5/3 11:14:44
摘要:国商威武!中芯国际40nm造全新PRAM内存

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目前,国内最大的晶圆代工厂当属中芯国际,除了处理器业务之外,他们现在又打算把触手伸向存储芯片行业。2014年9月,中芯国际成功的自主研发了采用38nm工艺的NAND闪存芯片。

日前,中芯国际与Crossbar公司成功签署了一项合作协议。协议的内容包括,中芯国际将使用40nm工艺为Crossbar代工PRAM阻变式存储器芯片,这项协议的签署代表中芯国际成功进军下一代内存产业。

PRAM阻变式存储器,亦可称之为相变内存,其使用硫化物玻璃进行制造,芯片的特点在于,硫化物玻璃受热后可以在晶体和非晶体之间进行形态变化,不同的状态下,其电阻亦不相同,利用这项特性,我们可以进行数据的存储。

与DRAM相比,PRAM不仅写入速度上快30倍,同时,寿命也要比DRAM高出10倍以上。而且PRAM最大的优点在于设备断电后依旧可以保存数据,这样来看,PRAM不仅仅可以代替内存,同时还可以取代闪存。

PRAM具有高性能和低功耗的优点,未来将可用于在物联网、可穿戴设备、平板电脑、工业市场等环境下。目前Intel和三星等行业领导者都在大力推进PRAM内存的发展。

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