制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: NXP Semiconductors
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 20 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 385 mOhms
技术: Si
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: CDFM
封装: Tube
最小工作温度: - 65 C
工厂包装数量: 20
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: - 0.5 V, 13 V
