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IPS1025H、IPS1025H-32 和 IPS1025HF 单边开关

2025-8-6 10:07:00
  • STMicroelectronics 的单边开关为采用了 M0T5 VIPower 技术的单片架构

IPS1025H、IPS1025H-32 和 IPS1025HF 是具有 M0T5 VIPower 技术的单片架构,采用 PowerSSO-24 封装。这些 IC 是单个高压侧开关器件,可以驱动一侧接地的容性、阻性或感性负载(高压侧开关)。工作电压建议在 8 V 至 60 V 范围内,但电源引脚上的击穿电压可达到 65 V。

IPS1025H 和 IPS1025H-32 器件的区别在于限流保护内部设置;所有其余电气参数都相同。输出级是 N 沟道功率 MOSFET,具有在室温下 12.5 mΩ 的典型 RDS(ON),IPS1025H 的最小输出电流内部限制为 2.5 A,IPS1025H-32 的最小输出电流内部限制为 5.7 A。

这两款 IC 能够设置两种不同的限流水平(ILIMH-X 和 ILIML-X),用于智能驱动负载(例如灯泡),以及具有初始峰值电流需求的负载(例如容性负载)。嵌入式保护具有两对限流阈值和水平(IPKH、每一 DPK 时间的 ILIMH 和 IPKL、ILIML),以及集成诊断功能,可实现带负载(具有初始峰值电流需求)的功能强大机器。

X-NUCLEO-OUT05A1 工业数字输出扩展板适用于 STM32 Nucleo,用来评估连接到 2.5 A(最大值)工业负载的数字化输出模块中的 IPS1025H(单高压侧智能功率固态继电器),为评估其驱动和诊断能力提供了强大而灵活的环境。X-NUCLEO-OUT06A1 工业数字输出扩展板适用于 STM32 Nucleo,用来评估连接到 5.7 A(最大值)工业负载的数字化输出模块中的 IPS1025H-32(单高压侧智能功率固态继电器),为评估其驱动和诊断能力提供了强大而灵活的环境。

特性

8 V 至 60 V 工作电压范围

RDS(ON) 12 mΩ(典型值,+25oC)

容性负载的智能驱动

可编程限流值:2.5 A (IPS1025H)/5.7 A (IPS1025H-32)

感性负载快速消磁

过载和超温保护

外壳超温保护

接地断线保护

VCC 断线保护

欠压锁定

过载或超温事件的故障信号

设计符合 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4 和 IEC 61000-4-5 标准

采用 QFN48L 8 mm x 6 mm x 0.9 mm 的 PowerSSO-24 微型封装