深圳市万国高科电子有限公司 朱先生 13602525193
FDV304P高性能P沟道MOS管/多用于笔记本电脑和手机
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制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 25 V
闸/源击穿电压: - 8 V
漏极连续电流: 0.46 A
漏源导通电阻: 1.1 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
封装: Reel
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 0.8 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.35 W
上升时间: 8 ns
系列: FDV304P
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 55 ns
零件号别名: FDV304P_NL
说明： MOSFET P-Ch Digital
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FDV304P P沟道数字FET
此P沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种高密度工艺
专为最大限度地降低低栅极驱动条件下的通态电阻而定制。 该器件特别为电池供电应用
设计，例如笔记本电脑和手机。 该器件即使在栅极驱动电压低至2.5V时仍具有出色的通
态电阻。
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产品特性
-25V、-0.46A（连续值）、-1.5A（峰值） RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS = -4.5 V，RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V。
栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) 1.5V。
栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 6kV人体模型。
紧凑的工业标准SOT-23表面贴装封装。
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应用场景
笔记本电脑
手机
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