简介：
· 标准包装：50
· 类别：分离式半导体产品
· 家庭：FET - 单
· 系列：HEXFET®
· FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
· FET 特点：标准型
· 漏极至源极电压(Vdss)：40V
· 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：75A
· 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.3 毫欧 @ 75A，10V
· Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
· 闸电荷(Qg) @ Vgs：240nC @ 10V
· 输入电容 (Ciss) @ Vds：6450pF @ 25V
· 功率 - 最大：300W
· 安装类型：通孔
· 封装/外壳：TO-220-3
· 供应商设备封装：TO-220AB
· 包装：管件
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