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分离式半导体MO管 FQP13N50C现货热卖中

2016-9-5 14:13:00
  • 保证原装正品,现货大量供应,价格优惠

联系人:曾先生,雷小姐

手机:13312962575/13380351780

Q Q:244068440/2506431812

地 址:深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋206室

电 话:0755-83224791

传 真:0755-83228957

制造商: Fairchild Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS: 符合RoHS 详细信息

Id-连续漏极电流: 13 A

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Rds On-漏源导通电阻: 480 mOhms

晶体管极性: N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 195 W

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

封装: Tube

商标: Fairchild Semiconductor

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降时间: 100 ns

正向跨导 - 最小值: 15 S

最小工作温度: - 55 C

上升时间: 100 ns

系列: FQP13N50

工厂包装数量: 50

典型关闭延迟时间: 130 ns

零件号别名: FQP13N50C_NL

单位重量: 1.438 g