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供应P沟道PowerTrench MOSFET FDS4953 全新原装 品质保证

2025-8-14 11:04:00
  • FDS4953这种P沟道MOSFET是一个坚固的门版本飞兆半导体的PowerTrench先进流程。它已被优化的电源管理需要大范围给驱动器的应用额定电压( 4.5V - 25V )

型号:FDS4953

品牌:仙童/FAIRCHILD

产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing

标准包装:2,500

类别:分离式半导体产品

家庭:FET - 阵列

系列:PowerTrench®

FET 型:2 个 P 沟道(双)

FET 特点:逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5A

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:55 毫欧 @ 5A,10V

Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs:9nC @ 5V

输入电容 (Ciss) @ Vds:528pF @ 15V

功率 - 最大:900mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商设备封装:8-SOICN

包装:带卷 (TR)

其它名称:FDS4953-ND

标准包装:2,500

批号:2014+

数量:28500

单价:面议

备注:FDS4953这种P沟道MOSFET是一个坚固的门版本飞兆半导体的PowerTrench先进流程。它已被优化的电源管理需要大范围给驱动器的应用额定电压( 4.5V - 25V )

深圳市勤思达科技有限公司主营仙童系列,授权分销,现货库存,品质保证,大量现货热卖FDS4953,价格市场最低,欢迎广大客户朋友咨询洽谈。

特点

•-7 , -30 VRDS ( ON)= 23毫欧@ VGS= –10 VRDS ( ON)= 35毫欧@ VGS= –4.5 V

•低栅极电荷( 15nC典型值)

•开关速度快

•高性能沟道技术极低RDS ( ON)

•高功率和电流处理能力

应用

•电源管理

•负荷开关

•电池保护

深圳市勤思达科技有限公司

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