数据列表 MJD122,127
标准包装 2,500
包装 带卷 (TR)
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管(BJT) - 单路
系列 -
其它名称 MJD122T4GOS
MJD122T4GOS-ND
MJD122T4GOSTR
规格
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 4V @ 80mA,8A
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 1000 @ 4A,4V
供应商器件封装 DPAK-3
功率 - 最大值 1.75W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
晶体管类型 NPN - 达林顿
电压 - 集射极击穿(最大值) 100V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 8A
电流 - 集电极截止(最大值) 10μA
频率 - 跃迁 4MHz
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