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IRLML6402PbF
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SOT-23
产品目录绘图
IR Hexfet Micro-3, SOT-23
标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
65 毫欧 @ 3.7A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1.2V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss)
633pF @ 10V
功率 - 最大
1.3W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装
Micro3™/SOT-23
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1520 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
IRLML6402PBFTR
