型号：FQPF7N80C
标准包装：50
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.9 欧姆 @ 3.3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：1680pF @ 25V
功率 - 最大：56W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商设备封装：TO-220F
包装：管件
批号：2013+
数量：8000
单价：面议
备注：全新原装，主营场效应管，欢迎咨询洽谈。
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