飞兆半导体是全球领先的高性能电源和移动半导体解决方案的提供商，其推出一系列1200 V沟槽型场截止IGBT。以硬开关工业应用为目标，如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电焊机，此新型IGBT 系列将帮助电源工程师在其设计中实现更好的效率和可靠性。
这种新型1200 V场截止IGBT系列 具有1.8 V的VCE（SAT），其远低于以前的快速开关NPT IGBT，可最大程度地降低导通损耗。这些新器件具有1200V快速开关IGBT市场中提供的最低VCE（SAT） 额定值之一。开关损耗较低， EOFF 值在30 µJ/A以下。所有器件均包含为快速开关优化的相同封装的二极管。
