高性能E 2 CMOS ®技术 - 5 ns最大传播延迟 - 的Fmax = 166兆赫 - 4 ns最大时钟输入到数据输出 - UltraMOS ®技术先进CMOS • 50 ％～75％降低功率双极 - 75毫安典型ICC上•有源上拉UPS所有引脚上季度功率器件的低功耗设备 - 45毫安典型ICC • E 2电池技术 - 可重构逻辑 - 可编程细胞 - 100％测试/保证100 ％的产量 - 高速电可擦（< 100毫秒） - 20年的数据保存•八个输出逻辑宏单元 - 最大灵活性的复杂逻辑设计 - 可编程输出极性 - 全功能/熔丝图/参数的兼容性，还模拟20针PAL ®器件•预载和上电复位所有寄存器 - 100％功能可测试性的应用包括： - DMA控制 - 状态机控制 - 高速图形处理 - 标准逻辑速度升级•电子签名识别
5 ns最大传输延迟时间，的GAL16V8C ，电可擦除（ E 2 ）浮栅技术结合了高性能CMOS工艺，可在PLD市场提供的最高速度性能。高速擦除时间（< 100毫秒）允许快速和有效地对设备进行重新编程。通用的架构提供了最大的设计灵活性使输出逻辑宏单元（ OLMC ）由用户进行配置。与GAL16V8的许多体系结构配置的一个重要的子集是在表中列出的宏蜂窝描述部分的PAL结构。有GAL16V8装置能够模拟这些PAL架构全功能/熔丝图/参数的兼容性。独特的测试电路和可重复编程的细胞允许完成AC ， DC ，和制造过程中的功能测试。这样一来，莱迪思半导体公司保证100 ％现场可编程和功能所有GAL产品。此外， 100擦除/写周期，保证在超过20年的数据保留。
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