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STP12NM50

2025-8-14 13:30:00
  • 其它有关文件:STP12NM50 View All Specifications标准包装:50类别:分离式半导体产品家庭:FET - 单系列:MDmesh™FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点:标准型漏极至源极电压(Vdss):500V电流 - 连续漏极(Id) @

其它有关文件:STP12NM50 View All Specifications标准包装:50类别:分离式半导体产品家庭:FET - 单系列:MDmesh™FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点:标准型漏极至源极电压(Vdss):500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:12A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:350 毫欧 @ 6A,10VId 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 50μA闸电荷(Qg) @ Vgs:39nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds:1000pF @ 25V功率 - 最大:160W安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3供应商设备封装:TO-220AB包装:管件其它名称:497-2666-5

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