图像仅供参考,请参阅产品规格书 标准包装：50
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.5 毫欧 @ 75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：210nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：9620pF @ 50V
功率 - 最大：370W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件
深圳市中意法电子科技有限公司
TEL：83267396
联系人：瞿雄武
传真：086-755-83350938
FAX：0755-83350938
QQ：2428419932
E-MAIL：sales20@sth-ic.com
公司网址：http://www.sth-ic.com
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区201栋西316室
