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INA214CIDCKT	文件：1.58588 Mbytes Page：45 Pages	INA21xVoltageOutput,Low-orHigh-SideMeasurement,Bidirectional,Zero-DriftSeries,Current-ShuntMonitors 1Features •UpdatedformattomatchnewTIlayoutandflow. Tables,figuresandcross-referencesuseanew numberingsequencethroughoutthedocument. WideCommon-ModeRange:–0.3Vto26V •OffsetVoltage:±35μV(Maximum,INA210) (EnablesShuntDropsof10-mVFull-Scale) •Accuracy: –	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA214CIRSWR	文件：1.46905 Mbytes Page：40 Pages	VoltageOutput,Low-orHigh-SideMeasurement,Bidirectional	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA214CIRSWR	文件：1.46487 Mbytes Page：44 Pages	VoltageOutput,Low-orHigh-SideMeasurement,Bidirectional,Zero-DriftSeries,Current-ShuntMonitors	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA214CIRSWR	文件：1.58588 Mbytes Page：45 Pages	INA21xVoltageOutput,Low-orHigh-SideMeasurement,Bidirectional,Zero-DriftSeries,Current-ShuntMonitors 1Features •UpdatedformattomatchnewTIlayoutandflow. Tables,figuresandcross-referencesuseanew numberingsequencethroughoutthedocument. WideCommon-ModeRange:–0.3Vto26V •OffsetVoltage:±35μV(Maximum,INA210) (EnablesShuntDropsof10-mVFull-Scale) •Accuracy: –	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA214CIRSWT	文件：1.46487 Mbytes Page：44 Pages	VoltageOutput,Low-orHigh-SideMeasurement,Bidirectional,Zero-DriftSeries,Current-ShuntMonitors	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA214CIRSWT	文件：1.46905 Mbytes Page：40 Pages	VoltageOutput,Low-orHigh-SideMeasurement,Bidirectional	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
IRFD214	文件：497.6 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=2.0ohm,Id=0.45A) VDSS=250V RDS(on)=2.0Ω ID=0.45A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.The4-pinDIPpackageisalow-costmachine-insertableca	IRF International Rectifier	IRF
IRFD214	文件：401.23 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)250 RDS(on)(Ω)VGS=10V2.0 Qg(Max.)(nC)8.2 Qgs(nC)1.8 Qgd(nC)4.5 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD214	文件：414.69 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgene	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD214PBF	文件：923.6 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=250V RDS(on)=2.0Ω ID=0.45A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.The4-pinDIPpackageisalow-costmachine-insertableca	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
INA214BIRSWR
制造商：
Texas Instruments
功能描述：
IC CURRENT SHUNT MONITOR 10-UQFN
功能描述：
Revision B of existing INA214BIRSW

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	INA214BIRSWR		24+	SC70-6	6000	美国德州仪器TEXASINSTRUMENTS原厂代理辉华拓展内地现	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	INA214BIRSWR	TI(德州仪器)	24+	QFN-10(1	3022	深耕行业12年,可提供技术支持。	询价
瑞航达科技(深圳)有限公司	INA214BIRSWR	TI	16+	UQFN	10000	原装正品	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	INA214BIRSWR	Texas Instruments	24+	10-UQFN(1.8x1.4)	53200	一级代理/放心采购	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	INA214BIRSWR	TI(德州仪器)	2447	UQFN-10(1.8x1.4)	315000	3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
深圳市科雨电子有限公司	INA214BIRSWR	TI	20+	QFN-10	4854	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	INA214BIRSWR	TI/德州仪器	23+	QFN	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	INA214BIRSWR	TI	22+	10UQFN	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	INA214BIRSWR	TI/德州仪器	25+	UQFN-10	8880	原装认准芯泽盛世！	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	INA214BIRSWR	TI	23+	10UQFN	9000	原装正品，支持实单	询价

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