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iPS-M210-LFA-SE	文件：335.62 Kbytes Page：2 Pages	210WhIndustrialPowerStorageSystemwithLithium-IronPhosphateCell	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IPS-M210-LID-SE	文件：727.24 Kbytes Page：3 Pages	210WhIntelligentPowerStorageSystem Features Containsenvironmentally-friendly,longlifecyclerechargeablebatteries 170WDCoutputforintegrationofvariousdevices Fanlessdesignforhospitalenvironment Swappablebatterypackdesignforquickandeasyreplacement 2VDCoutputwithsimultaneouspowersupport Sa	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IPS-M210S	文件：727.24 Kbytes Page：3 Pages	210WhIntelligentPowerStorageSystem Features Containsenvironmentally-friendly,longlifecyclerechargeablebatteries 170WDCoutputforintegrationofvariousdevices Fanlessdesignforhospitalenvironment Swappablebatterypackdesignforquickandeasyreplacement 2VDCoutputwithsimultaneouspowersupport Sa	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IQOV-210F	文件：1.01015 Mbytes Page：3 Pages	OCXOSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IQXT-210	文件：294.47 Kbytes Page：3 Pages	VCTCXOSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IRFD210	文件：173.36 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=1.5ohm,Id=0.60A) DESCRIPTION ThirdGenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedin	IRF International Rectifier	IRF
IRFD210	文件：52.32 Kbytes Page：6 Pages	0.6A,200V,1.500Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingc	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFD210	文件：360.56 Kbytes Page：6 Pages	0.6AAND0.45A,150VAND200V,1.5AND2.4OHM,N-CHANNELPOWERMOSFETS TheseareadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switching	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRFD210	文件：1.6013 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD210	文件：843.37 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgene	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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